FDD8880 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDD8880
Numéro de produit DigiKey	FDD8880TR-ND - Bande et bobine FDD8880CT-ND - Bande coupée (CT) FDD8880DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD8880
Description	MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 13 A (Ta), 58 A (Tc) 55W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD8880 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1260 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 55W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Ta), 58 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDD888
Rds On (max.) à Id, Vgs 9mohms à 35A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
PJD55N03_L2_00001	Panjit International Inc.	0	3757-PJD55N03_L2_00001TR-ND	0,16665 €	Similaire
STD70NS04ZL	STMicroelectronics	0	497-10411-2-ND	0,49276 €	Similaire
XP3N9R5AH	YAGEO XSEMI	987	5048-XP3N9R5AHCT-ND	0,51000 €	Similaire