FDD6670A onsemi | FET, MOSFET simples

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FDD6670A
Numéro de produit DigiKey	FDD6670ATR-ND - Bande et bobine FDD6670ACT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD6670A
Description	MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 15 A (Ta), 66 A (Tc) 3,2W (Ta), 63W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 5 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1755 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 3,2W (Ta), 63W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Ta), 66 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDD6670
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 15A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN3010LK3-13	Diodes Incorporated	0	31-DMN3010LK3-13CT-ND	0,99000 €	Similaire
IPD075N03LGATMA1	Infineon Technologies	6 634	IPD075N03LGATMA1CT-ND	0,99000 €	Similaire
IPD090N03LGATMA1	Infineon Technologies	93 617	IPD090N03LGATMA1CT-ND	0,95000 €	Similaire