Name: FDD10AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDD10AN06A0TR-ND
Price: 3.025 EUR
Availability: InStock

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FDD10AN06A0
Numéro de produit DigiKey	FDD10AN06A0TR-ND - Bande et bobine FDD10AN06A0CT-ND - Bande coupée (CT) FDD10AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD10AN06A0
Description	MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 11 A (Ta), 50 A (Tc) 135W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD10AN06A0 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1840 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 135W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Ta), 50 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDD10AN06
Rds On (max.) à Id, Vgs 10,5mohms à 50A, 10V