Name: FDC638P
Brand: onsemi
SKU: FDC638PTR-ND
Price: 1.1132 EUR
Availability: InStock

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FDC638P
Numéro de produit DigiKey	FDC638PTR-ND - Bande et bobine FDC638PCT-ND - Bande coupée (CT) FDC638PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDC638P
Description	MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 4,5 A (Ta) 1,6W (Ta) Montage en surface SuperSOT™-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDC638P Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	48mohms à 4,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1160 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,6W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SuperSOT™-6
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	FDC638

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