Name: FDC602P
Brand: onsemi
SKU: FDC602PTR-ND
Price: 1.1011 EUR
Availability: InStock

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FDC602P
Numéro de produit DigiKey	FDC602PTR-ND - Bande et bobine FDC602PCT-ND - Bande coupée (CT) FDC602PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDC602P
Description	MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 5,5 A (Ta) 1,6W (Ta) Montage en surface SuperSOT™-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDC602P Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 4.5 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±12V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1456 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,6W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur SuperSOT™-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5 A (Ta)	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Numéro de produit de base FDC602
Rds On (max.) à Id, Vgs 35mohms à 5,5A, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NTHS4101PT1G	onsemi	7 781	NTHS4101PT1GOSCT-ND	15,69000 €	Similaire
TSM260P02CX6 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	10 351	TSM260P02CX6RFGCT-ND	8,67000 €	Similaire