FDB3672-F085 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDB3672-F085
Numéro de produit DigiKey	FDB3672-F085TR-ND - Bande et bobine FDB3672-F085CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB3672-F085
Description	MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7,2 A (Ta), 44 A (Tc) 120W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDB3672-F085 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Série PowerTrench®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1710 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Dissipation de puissance (max.) 120W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,2 A (Ta), 44 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 28mohms à 44A, 10V	Numéro de produit de base FDB3672
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (6)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NVMFS021N10MCLT1G	onsemi	2 537	488-NVMFS021N10MCLT1GCT-ND	1,16000 €	Recommandation fabricant
BUK9629-100B,118	Nexperia USA Inc.	85	1727-4716-1-ND	2,21000 €	Similaire
PHB47NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	7 200	1727-4767-1-ND	2,33000 €	Similaire
PSMN034-100BS,118	Nexperia USA Inc.	1 233	1727-7211-1-ND	1,85000 €	Similaire
RSJ400N10TL	Rohm Semiconductor	0	RSJ400N10TLCT-ND	4,35000 €	Similaire

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Bande coupée (CT)

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Prix unitaire avec TVA:	3,32750 €

FDB3672-F085