Name: FDB13AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB13AN06A0TR-ND
Price: 3.2065 EUR
Availability: InStock

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FDB13AN06A0
Numéro de produit DigiKey	FDB13AN06A0TR-ND - Bande et bobine FDB13AN06A0CT-ND - Bande coupée (CT) FDB13AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB13AN06A0
Description	MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	45 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 10,9 A (Ta), 62 A (Tc) 115W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 29 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 115W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,9 A (Ta), 62 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDB13AN06
Rds On (max.) à Id, Vgs 13,5mohms à 62A, 10V