FDB088N08 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDB088N08
Numéro de produit DigiKey	FDB088N08TR-ND - Bande et bobine FDB088N08CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB088N08
Description	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 120 A (Tc) 160W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDB088N08 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 118 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6595 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 160W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 75 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDB088
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,8mohms à 75A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (8)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BUK9609-75A,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7189-1-ND	1,25902 €	Similaire
IRF1018ESTRLPBF	Infineon Technologies	3	IRF1018ESTRLPBFCT-ND	2,01000 €	Similaire
PHB29N08T,118	Nexperia USA Inc.	2 076	1727-PHB29N08T,118CT-ND	1,63000 €	Similaire
PSMN005-75B,118	Nexperia USA Inc.	75	1727-PSMN005-75B,118CT-ND	3,26000 €	Similaire
PSMN012-80BS,118	Nexperia USA Inc.	5 069	1727-7206-1-ND	2,18000 €	Similaire

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Prix unitaire sans TVA:	2,97000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,59370 €

FDB088N08