Name: FDB0260N1007L
Brand: onsemi
SKU: FDB0260N1007LTR-ND
Price: 11.8096 EUR
Availability: InStock

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FDB0260N1007L
Numéro de produit DigiKey	FDB0260N1007LTR-ND - Bande et bobine FDB0260N1007LCT-ND - Bande coupée (CT) FDB0260N1007LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB0260N1007L
Description	MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 200 A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 118 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8545 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 250W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A (Tc)	Boîtier TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDB0260
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,6mohms à 27A, 10V