Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 6.9333 EUR
Availability: InStock

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FCMT080N65S3
Numéro de produit DigiKey	488-FCMT080N65S3TR-ND - Bande et bobine 488-FCMT080N65S3CT-ND - Bande coupée (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCMT080N65S3
Description	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 38 A (Tc) 260W (Tc) Montage en surface 4-TDFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET® III
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	38 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	80mohms à 19A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 880µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2765 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	260W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-TDFN (8x8)
Boîtier	4-PowerTSFN
Numéro de produit de base	FCMT080