Name: FCD7N60TM-WS
Brand: onsemi
SKU: FCD7N60TM-WSTR-ND
Price: 3.388 EUR
Availability: InStock

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FCD7N60TM-WS
Numéro de produit DigiKey	FCD7N60TM-WSTR-ND - Bande et bobine FCD7N60TM-WSCT-ND - Bande coupée (CT) FCD7N60TM-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCD7N60TM-WS
Description	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 7 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FCD7N60TM-WS Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 10 V
Série SuperFET™	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 920 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FCD7N60
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (8)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FCD7N60TM	onsemi	4 058	FCD7N60TMCT-ND	14,78000 €	Équivalent paramétrique
SIHD7N60E-GE3	Vishay Siliconix	80	SIHD7N60E-GE3-ND	12,70000 €	Similaire
SPD07N60C3ATMA1	Infineon Technologies	2 193	448-SPD07N60C3ATMA1CT-ND	12,96000 €	Similaire
STD10N60M2	STMicroelectronics	3 547	497-13937-1-ND	7,72000 €	Similaire
STD10NM60N	STMicroelectronics	3 085	497-10021-1-ND	17,43000 €	Similaire