2SC5415AE-TD-E onsemi | Transistors RF bipolaires

2SC5415AE-TD-E est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

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2SC5415AE-TD-E
Numéro de produit DigiKey	2SC5415AE-TD-EOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	2SC5415AE-TD-E
Description	RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
Référence client
Description détaillée	RF Transistor NPN 12V 100mA 6,7GHz 800mW Montage en surface PCP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	2SC5415AE-TD-E Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors RF bipolaires	Puissance - Max. 800mW
Fabricant onsemi	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 90 à 30mA, 5V
Conditionnement Bande et bobine	Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de transistor NPN	Type de montage Montage en surface
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 12V	Boîtier TO-243AA
Fréquence - Transition 6,7GHz	Boîtier fournisseur PCP
Facteur de bruit (dB typ. à f) 1,1dB à 1GHz	Numéro de produit de base 2SC5415
Gain 9dB

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
2SC5065-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	187	2SC5065-Y(TE85LF)CT-ND	0,49000 €	Similaire
MAX2601ESA+	Analog Devices Inc./Maxim Integrated	0	MAX2601ESA+-ND	7,51000 €	Similaire