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2SB1202T-TL-E est obsolète et n'est plus fabriqué.
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2SB1202T-TL-E | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 2SB1202T-TL-EOSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | 2SB1202T-TL-E |
Description | TRANS PNP 50V 3A TP-FA |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 50 V 3 A 150MHz 1 W Montage en surface TP-FA |
Modèles EDA/CAO | 2SB1202T-TL-E Modèles |
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Catégorie | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 200 à 100mA, 2V |
Fabricant | Puissance - Max. 1 W |
Conditionnement Bande et bobine | Fréquence - Transition 150MHz |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Type de transistor | Type de montage Montage en surface |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 3 A | Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63 |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50 V | Boîtier fournisseur TP-FA |
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 700mV à 100mA, 2A | Numéro de produit de base |
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 1µA (ICBO) |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SA2126-TL-E | onsemi | 1 030 | 488-2SA2126-TL-ECT-ND | 1,07000 € | Direct |
| 2SA2126-TL-H | onsemi | 16 | 2SA2126-TL-HOSCT-ND | 0,87000 € | Direct |
| 2SB1201T-TL-E | onsemi | 1 120 | 2SB1201T-TL-EOSCT-ND | 0,82000 € | Similaire |
| 2SB906-Y(TE16L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 2SB906-Y(TE16L1NQCT-ND | 1,60000 € | Similaire |
Obsolète
