Name: NVG025A08TC
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NVG025A08TCTR-ND
Price: 5.1667 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

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NVG025A08TC
Numéro de produit DigiKey	1913-NVG025A08TCTR-ND - Bande et bobine 1913-NVG025A08TCCT-ND - Bande coupée (CT) 1913-NVG025A08TCDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	NVG025A08TC
Description	GANFET DISCRETE 80V 2.5MOHM PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) Montage en surface 6-PQFN (3x5)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5mohms à 25A, 5V
Fabricant Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (max.) à Id 2.9V @ 10mA
Série GaNFast™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +6V, -4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1250 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur 6-PQFN (3x5)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23A (Ta), 86A (Tc)	Boîtier 6-PowerTQFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V