MT47H512M4THN-25E:H Micron Technology Inc. | Mémoire

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MT47H512M4THN-25E:H
Numéro de produit DigiKey	MT47H512M4THN-25E:H-ND
Fabricant	Micron Technology Inc.
Numéro de produit du fabricant	MT47H512M4THN-25E:H
Description	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
Référence client
Description détaillée	SDRAM - DDR2 Mémoire IC 2Gb Parallèle 400 MHz 400 ps 63-FBGA (8x10)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MT47H512M4THN-25E:H Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Circuits intégrés Mémoire Mémoire	Interface mémoire Parallèle
Fabricant Micron Technology Inc.	Fréquence d'horloge 400 MHz
Conditionnement Plateau	Temps de cycle d'écriture - Mot, page 15ns
Statut du composant Obsolète	Temps d'accès 400 ps
Programmable DigiKey Non vérifié	Tension - Alimentation 1,7V ~ 1,9V
Type de mémoire Volatile	Température de fonctionnement 0°C ~ 85°C (TC)
Format mémoire DRAM	Type de montage Montage en surface
Technologies SDRAM - DDR2	Boîtier 63-TFBGA
Taille mémoire 2Gb	Boîtier fournisseur 63-FBGA (8x10)
Organisation de la mémoire 512M x 4	Numéro de produit de base MT47H512M4

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