Équivalent paramétrique
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JANTXV1N5811URS/TR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 150-JANTXV1N5811URS/TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | JANTXV1N5811URS/TR |
Description | DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 59 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 150 V 3A Montage en surface B, SQ-MELF |
Fiche technique | Fiche technique |
Category | Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 150 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 60pF à 10V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Grade Militaire |
Technologies | Qualification MIL-PRF-19500/477 |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 150 V | Type de montage |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Boîtier |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 875 mV @ 4 A | Boîtier fournisseur B, SQ-MELF |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5811AUS/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5811AUS/TR-ND | 9,68550 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5811URS | Microchip Technology | 0 | 150-1N5811URS-ND | 29,81550 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5811URS/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5811URS/TRCT-ND | 27,22000 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5811US | Microchip Technology | 1 909 | 1N5811US-ND | 5,86000 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | 395 | 150-1N5811US/TRCT-ND | 6,57000 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100 | 22,23730 € | 2 223,73 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 22,23730 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 26,90713 € |



