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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
JANTX1N5802US/TR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 150-JANTX1N5802US/TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | JANTX1N5802US/TR |
Description | DIODE STANDARD 50V 1A D5A |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 35 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 50 V 1A Montage en surface D-5A |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 50 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 25pF à 10V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Grade Militaire |
Technologies | Qualification MIL-PRF-19500/477 |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 50 V | Type de montage |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 875 mV @ 1 A | Boîtier fournisseur D-5A |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5802URS/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5802URS/TRCT-ND | 25,81000 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5802US | Microchip Technology | 583 | 1N5802US-ND | 7,71000 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5802US/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5802US/TR-ND | 8,63840 € | Équivalent paramétrique |
| JAN1N5802URS | Microchip Technology | 0 | 1086-19429-ND | 16,98880 € | Équivalent paramétrique |
| JAN1N5802URS/TR | Microchip Technology | 0 | 150-JAN1N5802URS/TR-ND | 17,11970 € | Équivalent paramétrique |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100 | 15,24810 € | 1 524,81 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 15,24810 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 18,45020 € |
