Équivalent paramétrique
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JAN1N5416US/TR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 150-JAN1N5416US/TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | JAN1N5416US/TR |
Description | DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 34 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 3A Trou traversant B, Axial |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 150 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Militaire |
Statut du composant Actif | Qualification MIL-PRF-19500/411 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Boîtier fournisseur B, Axial |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.5 V @ 9 A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5186 | Microchip Technology | 0 | 1N5186-ND | 7,06778 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5186/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5186/TR-ND | 7,22482 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5186US | Microchip Technology | 0 | 1N5186US-ND | 8,07563 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5416 | Microchip Technology | 20 | 1N5416-ND | 5,18000 € | Équivalent paramétrique |
| 1N5416/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5416/TR-ND | 5,79818 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100 | 9,77710 € | 977,71 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 9,77710 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 11,83029 € |


