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APT80GA90B2D40
Microchip Technology
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Canal N 800 V 34 A (Tc) 417W (Tc) Trou traversant T-MAX™ [B2]
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APT34N80B2C3G

Numéro de produit DigiKey
APT34N80B2C3G-ND
Fabricant
Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant
APT34N80B2C3G
Description
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 34 A (Tc) 417W (Tc) Trou traversant T-MAX™ [B2]
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Microchip Technology
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
34 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
145mohms à 22A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,9V à 2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4510 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
417W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
T-MAX™ [B2]
Boîtier
TO-247-3 variable
Numéro de produit de base
APT34N80
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Obsolète
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