Name: IXTY1R6N100D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND
Price: 2.09398 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTY1R6N100D2-TRL
Numéro de produit DigiKey	238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTY1R6N100D2-TRL
Description	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 1000 V 1,6 A (Tj) 100W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 100µA
Fabricant IXYS	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27 nC @ 5 V
Série Depletion	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 645 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc)
Type de FET Canal N, mode de déplétion	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 1000 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,6 A (Tj)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 0V	Numéro de produit de base IXTY1
Rds On (max.) à Id, Vgs 10ohms à 800mA, 0V