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IXTY1R4N100P | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTY1R4N100P-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTY1R4N100P |
Description | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1000 V 1,4 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 50µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17.8 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 450 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 63W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 1000 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 11ohms à 500mA, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD2N100 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOD2N100-ND | 0,55102 € | Similaire |
| FQD2N100TM | onsemi | 0 | FQD2N100TMCT-ND | 0,00000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 350 | 1,68094 € | 588,33 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,68094 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 2,03394 € |



