Name: IXTY08N100D2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTY08N100D2-TRLTR-ND
Price: 1.86716 EUR
Availability: OutOfStock

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IXTY08N100D2-TRL
Numéro de produit DigiKey	238-IXTY08N100D2-TRLTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTY08N100D2-TRL
Description	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 1000 V 800mA (Tj) 60W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	Depletion
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N, mode de déplétion
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	800mA (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	0V
Rds On (max.) à Id, Vgs	21ohms à 400mA, 0V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	325 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IXTY08