Name: IXTT110N10L2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND
Price: 26.0634 EUR
Availability: InStock

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IXTT110N10L2-TRL
Numéro de produit DigiKey	238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND - Bande et bobine 238-IXTT110N10L2-TRLCT-ND - Bande coupée (CT) 238-IXTT110N10L2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTT110N10L2-TRL
Description	MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 110 A (Tc) 600W (Tc) Montage en surface TO-268 (IXTT)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Fabricant IXYS	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 260 nC @ 10 V
Série Linear L2™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10500 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 600W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-268 (IXTT)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)	Boîtier TO-268-3, D3PAK (2 sorties + languette), TO-268AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IXTT110
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 55A, 10V