Canal N 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220-3
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IXTP3N120

Numéro de produit DigiKey
238-IXTP3N120-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXTP3N120
Description
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
32 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,5ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1350 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220-3
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IXTP3
Questions et réponses sur les produits

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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
18,63000 €8,63 €
504,75800 €237,90 €
1004,38530 €438,53 €
5003,73282 €1 866,41 €
1 0003,63593 €3 635,93 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:8,63000 €
Prix unitaire avec TVA:10,44230 €