Name: IXTP08N100D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP08N100D2-ND
Price: 5.2393 EUR
Availability: InStock

Canal N, mode de déplétion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3

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IXTP08N100D2
Numéro de produit DigiKey	238-IXTP08N100D2-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTP08N100D2
Description	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IXTP08N100D2 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.6 nC @ 5 V
Fabricant IXYS	Vgs (max.) ±20V
Série Depletion	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 325 pF @ 25 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 60W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N, mode de déplétion	Type de montage Trou traversant
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Boîtier fournisseur TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 1000 V	Boîtier TO-220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800mA (Tc)	Numéro de produit de base IXTP08
Rds On (max.) à Id, Vgs 21ohms à 400mA, 0V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,33000 €	4,33 €
50	2,23760 €	111,88 €
100	2,03560 €	203,56 €
500	1,68152 €	840,76 €
1 000	1,56784 €	1 567,84 €
2 000	1,47229 €	2 944,58 €
5 000	1,45558 €	7 277,90 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.