IXTN660N04T4 IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

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IXTN660N04T4
Numéro de produit DigiKey	IXTN660N04T4-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTN660N04T4
Description	MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 660 A (Tc) 1040W (Tc) Montage sur châssis SOT-227B
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	Trench
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	660 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,85mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	860 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	44000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1040W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	SOT-227B
Boîtier	SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base	IXTN660