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IXTA20N65X | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTA20N65X-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTA20N65X |
Description | MOSFET N-CH 650V 20A TO263 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 20 A (Tc) 320W (Tc) Montage en surface TO-263AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1390 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 320W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-263AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 210mohms à 10A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA20N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXTA20N65X2-ND | 3,06923 € | Recommandation fabricant |
| FCB260N65S3 | onsemi | 1 060 | 488-FCB260N65S3CT-ND | 4,07000 € | Similaire |
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | 6 167 | IPB60R280P7ATMA1CT-ND | 2,21000 € | Similaire |
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ENJTLCT-ND | 1,52836 € | Similaire |
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | 3 807 | R6015KNJTLCT-ND | 3,26000 € | Similaire |








