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Microchip Technology
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Fiche technique
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Canal N 1200 V 20 A (Tc) 780W (Tc) Trou traversant TO-264AA (IXFK)
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IXFK20N120

Numéro de produit DigiKey
IXFK20N120-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFK20N120
Description
MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 20 A (Tc) 780W (Tc) Trou traversant TO-264AA (IXFK)
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
750mohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7400 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
780W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-264AA (IXFK)
Boîtier
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
IXFK20
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Obsolète
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