Canal P 60 V 9,7 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
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Canal P 60 V 9,7 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
PG-TO-252-3

SPD09P06PLGBTMA1

Numéro de produit DigiKey
SPD09P06PLGBTMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
SPD09P06PLGBTMA1
Description
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal P 60 V 9,7 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SPD09P06PLGBTMA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
SIPMOS®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
9,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
250mohms à 6,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
450 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
SPD09P06
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En stock: 5 000
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Date de dernière disponibilité : 30/09/2026
En raison de contraintes d'approvisionnement temporaires, DigiKey ne peut actuellement pas accepter les livraisons différées.
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,28932 €723,30 €
5 0000,26746 €1 337,30 €
7 5000,25632 €1 922,40 €
12 5000,24473 €3 059,12 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,28932 €
Prix unitaire avec TVA:0,35008 €
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