Name: SPD06N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD06N80C3ATMA1TR-ND
Price: 2.541 EUR
Availability: InStock

SPD06N80C3ATMA1
Numéro de produit DigiKey	SPD06N80C3ATMA1TR-ND - Bande et bobine SPD06N80C3ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) SPD06N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPD06N80C3ATMA1
Description	MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 6 A (Ta) 83W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPD06N80C3ATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	900mohms à 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,9V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	785 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	SPD06N80

Prix unitaire sans TVA:	2,10000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,54100 €

SPD06N80C3ATMA1