Name: SPB17N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB17N80C3ATMA1TR-ND
Price: 5.0699 EUR
Availability: InStock

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SPB17N80C3ATMA1
Numéro de produit DigiKey	SPB17N80C3ATMA1TR-ND - Bande et bobine SPB17N80C3ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) SPB17N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPB17N80C3ATMA1
Description	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 17 A (Tc) 227W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPB17N80C3ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 1mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 177 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2300 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 227W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base SPB17N80
Rds On (max.) à Id, Vgs 290mohms à 11A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (5)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
STB21N90K5	STMicroelectronics	1 276	497-12851-1-ND	51,23000 €	Direct
FCB290N80	onsemi	69	FCB290N80CT-ND	51,16000 €	Similaire
STB11NM80T4	STMicroelectronics	789	497-STB11NM80T4CT-ND	55,16000 €	Similaire
STB18NM80	STMicroelectronics	7 739	497-10117-1-ND	37,22000 €	Similaire
STB25N80K5	STMicroelectronics	39	497-13640-1-ND	39,88000 €	Similaire