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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SPA11N80C3XKSA2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SPA11N80C3XKSA2 |
Description | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 11 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 680µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1600 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 34W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 450mohms à 7,1A, 10V |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP8N70X2M | IXYS | 12 | IXTP8N70X2M-ND | 4,40000 € | Similaire |
| TK12E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK12E80WS1X-ND | 4,89000 € | Similaire |
En stock: 135
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,96000 € | 2,96 € |
| 50 | 1,48000 € | 74,00 € |
| 100 | 1,33660 € | 133,66 € |
| 500 | 1,08512 € | 542,56 € |
| 1 000 | 1,00434 € | 1 004,34 € |
| 2 000 | 0,93643 € | 1 872,86 € |
| 5 000 | 0,86934 € | 4 346,70 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 2,96000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 3,58160 € |
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