Name: ISZ810P06LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ810P06LMATMA1TR-ND
Price: 1.6698 EUR
Availability: InStock

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ISZ810P06LMATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISZ810P06LMATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISZ810P06LMATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISZ810P06LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISZ810P06LMATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 19,5 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-26
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISZ810P06LMATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 81mohms à 16A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 724µA
Série OptiMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42.8 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 30 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19,5 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8-26
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN