Name: ISZ080N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ080N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 2.4442 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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ISZ080N10NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISZ080N10NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISZ080N10NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISZ080N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISZ080N10NM6ATMA1
Description	TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8 FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISZ080N10NM6ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 36µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 6	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8 FL
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13A (Ta), 75A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Numéro de produit de base ISZ080N
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,04mohms à 20A, 10V