Name: ISC0802NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC0802NLSATMA1TR-ND
Price: 2.3474 EUR
Availability: InStock

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ISC0802NLSATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISC0802NLSATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISC0802NLSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISC0802NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISC0802NLSATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISC0802NLSATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 92µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 73 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5190 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22A (Ta), 150A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base ISC0802N
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,6mohms à 50A, 10V