IRLR8259TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IRLR8259TRPBF est obsolète et n'est plus fabriqué.

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IRLR8259TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLR8259TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRLR8259TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLR8259TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLR8259TRPBF
Description	MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 57 A (Tc) 48W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLR8259TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 25µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 4.5 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 900 pF @ 13 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 48W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IRLR8259
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,7mohms à 21A, 10V