Name: IRLR120NTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR120NPBFTR-ND
Price: 1.452 EUR
Availability: InStock

IRLR120NTRPBF
cms-digikey-product-number	IRLR120NPBFTR-ND - Bande et bobine IRLR120NPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLR120NPBFDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IRLR120NTRPBF
cms-description	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
cms-standard-lead-time	21 semaines
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 100 V 10 A (Tc) 48W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
cms-eda-cad-models	IRLR120NTRPBF Modèles

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	185mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	440 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IRLR120

Prix unitaire sans TVA:	1,20000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,45200 €

IRLR120NTRPBF