Canal N 100 V 130 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-262
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IRFSL4310PBF

Numéro de produit DigiKey
IRFSL4310PBF-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IRFSL4310PBF
Description
MOSFET N-CH 100V 130A TO262
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 130 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant TO-262
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
130 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
7mohms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7670 pF @ 50 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-262
Boîtier
TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
Questions et réponses sur les produits

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Obsolète
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