IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IRFS4510TRLPBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFS4510TRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 61 A (Tc) 140W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFS4510TRLPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 100µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3180 pF @ 50 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 140W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 61 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFS4510
Rds On (max.) à Id, Vgs 13,9mohms à 37A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande et bobine