Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBFTR-ND
Price: 4.8158 EUR
Availability: InStock

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IRFS4229TRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFS4229TRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRFS4229TRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFS4229TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFS4229TRLPBF
Description	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 45 A (Tc) 330W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFS4229TRLPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4560 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 330W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 250 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 45 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFS4229
Rds On (max.) à Id, Vgs 48mohms à 26A, 10V