Name: IRFR3710ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3710ZTRPBFTR-ND
Price: 2.5168 EUR
Availability: InStock

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IRFR3710ZTRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFR3710ZTRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFR3710ZTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFR3710ZTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFR3710ZTRPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 42 A (Tc) 140W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFR3710ZTRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2930 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 140W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 42 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFR3710
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 33A, 10V