Name: IRFH5015TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5015TRPBFTR-ND
Price: 2.2748 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRFH5015TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRFH5015TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRFH5015TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRFH5015TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRFH5015TRPBF
Description	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 10 A (Ta), 56 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRFH5015TRPBF Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 150µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2300 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,6W (Ta), 156W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta), 56 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRFH5015
Rds On (max.) à Id, Vgs 31mohms à 34A, 10V