Name: IRF7469TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7469PBFTR-ND
Price: 1.7182 EUR
Availability: InStock

IRF7469TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7469PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7469PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7469PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7469TRPBF
Description	MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 9 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7469TRPBF Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	17mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2000 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	IRF7469

Prix unitaire sans TVA:	1,42000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,71820 €

IRF7469TRPBF