Name: IRF7341GTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341GTRPBFTR-ND
Price: 3.3275 EUR
Availability: InStock

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IRF7341GTRPBF
Numéro de produit DigiKey	448-IRF7341GTRPBFTR-ND - Bande et bobine 448-IRF7341GTRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) 448-IRF7341GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7341GTRPBF
Description	MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 55V 5,1A 2,4W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA (min)
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 44nC à 10V
Série HEXFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 780pF à 25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 2,4W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux N (double)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 55V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,1A	Numéro de produit de base IRF734
Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 5,1A, 10V

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Quantité

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