Name: IRF3710PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3710PBF-ND
Price: 3.0976 EUR
Availability: InStock

Canal N 100 V 57 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB

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IRF3710PBF
Numéro de produit DigiKey	IRF3710PBF-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF3710PBF
Description	MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 57 A (Tc) 200W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF3710PBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3130 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 200W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-220AB
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 57 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF3710
Rds On (max.) à Id, Vgs 23mohms à 28A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 517

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,56000 €	2,56 €
10	1,64400 €	16,44 €
100	1,12150 €	112,15 €
500	0,89786 €	448,93 €
1 000	0,82595 €	825,95 €
2 000	0,76549 €	1 530,98 €
5 000	0,70011 €	3 500,55 €
10 000	0,65973 €	6 597,30 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.