IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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IRF1018ESTRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF1018ESTRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF1018ESTRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF1018ESTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF1018ESTRLPBF
Description	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF1018ESTRLPBF Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 100µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 69 nC @ 10 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2290 pF @ 50 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 110W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur D2PAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 79 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IRF1018
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,4mohms à 47A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (8)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPB057N06NATMA1	Infineon Technologies	2 999	IPB057N06NATMA1CT-ND	2,01000 €	Recommandation fabricant
BUK768R3-60E,118	Nexperia USA Inc.	434	1727-7258-1-ND	2,41000 €	Similaire
HUF75545S3ST	onsemi	555	HUF75545S3STCT-ND	3,21000 €	Similaire
PSMN015-60BS,118	Nexperia USA Inc.	5 986	1727-7207-1-ND	1,85000 €	Similaire
PSMN7R6-60BS,118	Nexperia USA Inc.	152	1727-7215-1-ND	2,18000 €	Similaire

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Bande coupée (CT)