Name: IQDH45N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 5.1667 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-WHSON-8-U02

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IQDH45N04LM6SCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQDH45N04LM6SCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQDH45N04LM6SCATMA1
Description	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-WHSON-8-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQDH45N04LM6SCATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,49mohms à 50A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 1,449mA
Série OptiMOS™ 6	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12000 pF @ 20 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHSON-8-U02
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerWDFN