Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 6.1952 EUR
Availability: OutOfStock

Canal N 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-U02

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IQD009N06NM5CGSCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Description	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-WHTFN-9-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQD009N06NM5CGSCATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0,9mohms à 50A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 163µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12000 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 42A (Ta), 445A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHTFN-9-U02
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 9-PowerWDFN