Name: IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR-ND
Price: 1.815 EUR
Availability: InStock

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IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPZ40N04S5L2R8ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPZ40N04S5L2R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 40 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPZ40N04S5L2R8ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±16V
Série OptiMOS™ 5	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 71W (Tc)
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base IPZ40N04
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 30µA