Name: IPW65R150CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R150CFDAFKSA1-ND
Price: 5.7838 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IPW65R150CFDAFKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW65R150CFDAFKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R150CFDAFKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R150CFDAFKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2340 pF @ 100 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 195,3W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22,4 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-247-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 9,3A, 10V	Numéro de produit de base IPW65R150
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 900µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,78000 €	4,78 €
30	2,68033 €	80,41 €
120	2,21858 €	266,23 €
510	1,88020 €	958,90 €
1 020	1,75670 €	1 791,83 €
2 010	1,66166 €	3 339,94 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.